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微机械双轴电容式加速度传感器设计

发布时间:2019-06-07 01:15

  受到外界加速度作用时,会使敏感元件在某一方向上发生偏移,从而导致电容值发生改变,再通过外围处理电路达到测量加速度值的目的。

  常用的电容式结构有两种:一种是梳齿型电容式结构;另一种是栅型电容式结构。这两种类型结构的电容检测方式有所不同,所以其性能在相等条件下也有差异。梳齿型

  是通过改变电容的极板间距来检测加速度,而栅型结构是通过改变电容的极板面积来检测加速度。在梳齿型结构中,压膜阻尼占主导因素,其由可动极板相对固定极板的垂直方向运动而产生;而在栅型结构中,滑膜阻尼占主导因素,其是由可动极板相对固定极板的切向运动而产生的。根据

  的理论模型分析,阻尼对器件的性能影响不容忽视,阻尼越大,机械噪声越小,品质因素越高,动态特性也就越好。滑膜阻尼一般小于压膜阻尼,所以,在相同情况下,栅型结构器件性能更好。

  本文基于MEMS工艺设计了一款具有8个支撑梁的新型双轴加速度传感器,该传感器结构具有较小地气体阻尼。另外,文中还通过Ansys软件对器件的性能进行了仿真,其结果验证了结构设计的可行性。

  该加速度传感器由4个一字梁、4个回形支撑梁、X轴和Y轴向的敏感质量块、铝电极和硼酸玻璃衬底组成。X轴和Y轴向的敏感质量块经由一字梁和回行支撑梁固定在压焊块上。整体质量块划分为4个区域,在每个区域上制作了一组栅型电极,这4组栅型电极均是检测电容的可动极板,其中X轴和Y轴方向上各有两组。栅型电容的输入引线、输出引线、相互连接引线和固定铝电极均制作在硼酸玻璃衬底上。设计的加速度传感器整体结构如图1所示。

  图中,浅色部分为铝电极和引线;深灰色部分为质量振子和弹性梁;黑色部分为锚点;浅色部分为保护限位装置。离敏感质量块的距离为15m,用来避免加速度过大时,因可动栅型条偏移宽度超过与其组成的差分电容的固定铝电极宽度而引起的测量不准确及结构断裂。

  图2所示为X轴向电容检测原理示意图,图2(a)为栅型可动极板随加速度变化的结构示意图,图2(b)所示为其等效电路。当加速度在X轴水平方向上未受到外界加速度作用时,可动栅型条保持在初始的平衡位置,当在X轴方向上受到外界加速度作用时,敏感质量块将沿着水平面左右移动,如图2(a)所示,则栅型条与铝电极间的覆盖宽度发生了变化,随之电极之间的电容值也有所改变。设可动极板向右运动,则电容C1减少,此时,C2将增大相同量,从而实现了X轴向的差分检测电容。

  设栅型条极板的长度为L,与铝电极覆盖宽度为W,可动栅型条和铝电极之间的间距为d,介电常数为;当敏感质量块受到外界加速度作用时,设栅型条偏移的距离为△W,则变化后的电容值为

  式(4)中,n为X轴向的栅型条个数,n=44。由于Y轴向和X向的检测单元与电容等效电路完全相同。因此,可知Y轴与X轴向的电容灵敏度相等,即△Cy=△Cx。

  当加速度传感器受到平行于Y轴方向上的加速度作用时,从传感器的结构图中可看出,Y轴向的检测电容发生了变化因而有信号输出,但X轴向的可动栅型条和铝电极之间的电容值并未发生改变,故X轴向的检测单元没有电信号输出。当加速度传感器受到平行于X轴方向上的加速度作用时,同上分析,只有轴向的检测单元有电信号输出。故设计的传感器结构解决了X、Y轴向间的交叉干扰问题,其交叉耦合度近似为0。

  图3为该加速度传感器的检测电路。该电路是利用电荷法来测量电容差值,当有加速度时,差分电容的共同输出端有电荷输出,其输出电荷值为(C1-C2)Vsin,因电容Cp,所以电流不能流入到放大器的输入端,为了差分电荷全流入到反馈电容Cf中,放大器将调整输出电压直到差分输入电压为零,结果寄生电容的两端电压也可视作为零,从而有效消除寄生电容的干扰。电路中,电阻的作用是给电路提供直流通道,保持电路正常工作,Vsin和-Vsin为两路载波正弦信号,分别接到电容C1和C2上。

  进行的有限元分析主要包括静力分析和模态分析。静力分析主要是确定传感器结构的灵敏度和抗振强度;模态分析主要用于确定传感器的谐振频率。采用的敏感材料为普通单晶硅,硅的密度值为2.33×103 kg/m3,弹性模量为1.3×105MPa,泊松比为0.278。栅型条的长度为1 575m,与铝电极之间的间距为5m,栅型条的个数为44。图4为所建Ansys仿线为X轴和Y轴在不同加速度值作用下微位移的仿线中的数据可看出,在加速度值为1 g时,X轴与Y轴的微位移量相等。而在加速度值较大时,两轴向微位移量相差较小,基本可忽略,同时也验证了X轴和Y轴有相同的

  根据表1中的数据和式(4)可计算出X和Y轴向的理论灵敏度值为1.533 pF/g。图5给出了X轴向的电容随加速度值变化关系图。其中,理论灵敏度和仿真得到的灵敏度之间存在误差,原因是未考虑边缘电容。

  对该传感器结构进行前5阶模态分析,数据结果如图6所示。一阶频率和二阶频率相差较小,此时传感器结构的振型分别是围绕X轴和Y轴水平运动。后三阶振型则不是单纯的X、Y水平运动,所以得出水平X、Y轴的

  图8所示为该栅型加速度传感器的制备工艺流程图。工艺步骤如下:图8(a)备片;准备一块双面抛光的硅片,厚度为5m;图8(b)将硅片氧化,将键合区掩膜板放在硅片上光刻、腐蚀,为后续刻蚀悬空区做准备;图8(c)利用干法刻蚀制作悬空区;图8(d)完全腐蚀硅片上剩余的SiO2;图8(e)通过溅射工艺在硼酸玻璃上制作铝薄膜层;图8(f)利用铝电极掩膜板进行掩膜光刻、腐蚀,制作规定的铝电极和引线(g)利用键合工艺将制备好的硼酸玻璃衬底和硅片键合;图8(h)利用磨薄工艺将硅片减薄;图8(i)最后利用硅结构掩膜板并结合DRIE刻蚀工艺,释放质量块结构;图8(j)为质量块释放后的加速度传感器结构。

  式(8)中A、分别表示可动极板的面积与气体动态黏滞系数;标态下空气黏滞系数为1.82×105Pas,对于该加速度计而言;计算出的阻尼系数为8.6×102,敏感质量块的质量为1.23×10-7kg;支撑梁刚度为2.4×1012Nm-1;得出的阻尼比为0.83。根据传感器的理论模型动态特性分析,最优阻尼比为0.7,据此可通过该结构的尺寸进行优化。



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